闪速存储器芯片K9F6408系列的典型应用

闪速存储器芯片K9F6408系列的典型应用

摘要：K9F6408系列是8M×8bit的NAND型闪速存储器。它以其快速读写循环，数据硬件保护，可擦除，I/O口命令/地址/数据线复用和接口便利等特点，正成为大型数据如语音、数字图像、文件等系统数据的载体。本文给出了K9F640800A与单片机P87C52的硬件连接电路及闪速存储器操作的软件应用程序。
　　关键词：flash存储器；扇区；操作；应用程序
　　
　　1、概述
　　
　　存储器是计算机外围产品的重要组成部分，在经历了ROM,PROM和EPROM和如今已到了闪速存储器(FlashMemory)的时代。Flash存储器以其低成本，高可靠性的读写，非易失性，可擦写性和操作简便而成为一系列程序代码（应用软件）和数据（用户文件）存储的理想媒体，从而受到到嵌入式系统开发者的欢迎。
　　
　　Flash存储器的应用范围极广，从现代计算机优盘到嵌入式系统中取代的地位，可谓占尽风流。正因为Flash的应用广泛，了解和掌握Flash的相关操作和管理技术就极为重要。大致说来Flash操作包括：检错（对Flash内部坏扇区的检测）、写操作（写入数据）、读操作（从Flash中读出数据）、空间管理和擦除操作。在系统中我们选用AT87C52单片机，它有24个I/O口，其中8个作为有特殊功能的I/O口，因此只剩16个I/O口可供一般的输入/输出使用。我们选用K9F640800A闪存的主要原因是它能节约I/O口，即它的地址线和数据线可复用。而其他许多闪存的地址线和数据线是分开使用的。因此，本文以SAMSUNG公司的K9F640800A为例，介绍Flash的操作技术。
　　
　　2、K9F640800A芯片的性能特点：
　　
　　·供电电压：2.7v～3.6v
　　·该芯片容量为66Mbits，由1024块组成，每块又由16页组成，一页共有（512＋16）×8bit。使用64Mbits,另外还有2Mbits的闲置储存空间。
　　·写和读以页为单位，而擦除以块为单位。读、写和擦除操作均通过命令完成，非常方便。（参见图3）
　　·此芯片可擦写1百万次，掉电数据不丢失，数据可保存十年。
　　·有8位串行口，且可复用，既可作为地址和数据的输入/输出引脚，又可作命令的输入引脚，根据时序采用分时循环。（见时序图5）
　　·写入每页的时间为200us，平均每写一个字节约400ns，即约20Mb/s。
　　·该flash的每一个扇区又分为三个区（256字节，256字节和16字节），如果需要对这三个区独立操作，则通过00h,01h和50h命令分别选中。（参见图3）
　　·快速的读写循环和数据硬件保护。
　　
　　引脚分布、功能及操作命令如图1所示：
　　
　　
　　
　　3、P87C52与K9F6408U0A的应用电路
　　
　　我们设计了一个系统，所需实现的功能是，由P87C52单片机将接收到的GPS芯片发送的数据，按一定的格式处理后，存储到Flash芯片上。当上位机发出读命令时，P87C52再从flash中取出数据，发给上位机。在此，我们给出了K9F6408U0A的flash芯片与P87C52单片机连接图（图2)。
　　
　　
　　
　　4、K9F6408U0A的软件编程
　　
　　K9F6408U0A的软件编程是采用C语言中嵌入汇编来完成。主要包括：flash扇区检错，读，写，擦除和管理flash空间。
　　
　　1）检错：刚出厂的Flash中可能存在坏扇区，用久的Flash好扇区也可能变坏。为了保证读写数据的可靠性，必须对Flash扇区进行检测。Flash扇区的好坏标志存在于第3区中的第6Column,若扇区已坏，则标志位数据不是FFH。设置一错误扇区的表，扫描检错flash，将坏扇区的号依次填入表中，将此表保存于flash存储器中的第一个块中（因为SAMSUNG确保第一个块能正确使用）。流程图(图四)：
　　
　　
　　
　　2）读flash：Flash分三个区，命令0X00,0X01和0X50可分别读取第一，二，三区中的数据。
　　
　　过程为：选中Flash,通过I/O口写入读命令字，写入所读数据地址，置读信号有效（下跳沿有效）。
　　（读写）时序图如下：
　　
　　
　　
　　
　　
　　
　　具体程序如下：
　　
　　voidFlashRead()
　　{
　　unsignedchard;
　　Flash_CE=0;file://片选
　　WriteCommand(0x00);file://写读的命令
　　WriteAddress(0x00,0);file://写读的地址
　　for(d=0;d!=2;d++)file://一次读两页
　　{
　　uintk=528;file://每个扇区有528个字节
　　while(!Flash_RB)//当读信号无效时，等待
　　{
　　}
　　while(k)file://当k不为0时，就继读；否则就停止读
　　{
　　Flash_RD=0;file://准备好读入
　　#pragmaasmfile://嵌入汇编，插入2个机器周期
　　NOP
　　NOP
　　#pragmaendasm//结束汇编
　　
　　ACC=P0;file://把P0口读出的值存入ACC寄存器
　　#pragmaasm//嵌入汇编，插入2个机器周期
　　
　　
　　
　　
　　NOP
　　NOP
　　#pragmaendasm//结束汇编
　　Flash_RD=1;file://不再读入
　　SendData();file://串口发送数据
　　k--;
　　}
　　}
　　Flash_CE=1;file://不再片选
　　}
　　
　　3）写flash：和读操作不一样的是，写操作有两个命令字：0X80和0X10，写入0X80后，表示将向寄存器中写入数据，如果再键入0X10则Flash中的控制器将寄存器的数据存储到数据存储器中。写操作时，将欲写入数据的地址与错误扇区表相对照，看是否在表中。如果在表中，则将页指针地址加十六（即换到下一个Block中），再对照，循环操作直到找到不在表中的地址。以此保证所写的地址都是有效地址。具体过程：选中Flash,通过I/O口写入写命令字，写入所要编程数据地址，置写信号有效。（写时序见图五
　　
　　
　　
　　*unsignedcharAssertBlock(unsignedchara)//与记录坏块的表相对照的子程序
　　{
　　unsignedchari=0;
　　while(i!=invalidblockbound+1)//invalidblockbound是无效块的总数
　　{
　　while(a!=*InvalidBlockAddress++)//当未遍历到最后一个无效块时,就继续核对
　　
　　{
　　i++;
　　}
　　}
　　if(i!=invalidblockbound+2)
　　return1;//无效的块
　　else
　　return0;//有效的块
　　}
　　
　　voidWrite(void)//写操作
　　{
　　unsignedcharh;
　　if(first)//当开始对一页进行写操作时，first=1,否则为0
　　{
　　Flash_CE=0;file://片选
　　WriteCommand(0x80);file://写命令0x80
　　*ucharAssertBlock(startpage/16)file://与记录坏块的表相对照
　　WriteAddress(0x00,startpage);file://写地址
　　first=0;
　　}
　　for(h=0;h!=16;h++)
　　WriteData(output[h]);file://写入寄存器处理好的GPS数据
　　if(FlagWrite)//当寄存器中数据满528字节（1页）时，FlagWrite＝1，否则为0
　　{
　　WriteCommand(0x10);//将数据写入flash
　　while(!Flash_RB)file://等待读信号有效
　　{
　　}
　　WriteCommand(0x70);file://读状态量
　　Delay10us();
　　Flash_RD=0;file://准备好读入
　　#pragmaasm//嵌入汇编，插入两个机器周期
　　nop
　　nop
　　#pragmaendasm//结束汇编
　　ACC=P0;
　　ACC=ACC&0x01;
　　Flash_RD=1;
　　if(ACC!=0)file://若最后一位不为零
　　{
　　*(InvalidBlockAddress+j)=startpage/16;file://存储无效块空间的首地址
　　startpage=startpage+16;file://读下一个块的第一个扇区看是否是有效的扇区
　　}
　　Flash_CE=1;file://结束片选
　　startpage++;file://写下一页
　　first=1;
　　}
　　}
　　4）擦除：以块为单位进行擦除。前后有两条擦除命令以保证不会被意外擦除。
　　
　　voidFlashErase(uinta)
　　{
　　unsignedintblockcount;
　　Flash_CE=0;//片选
　　for(blockcount=0;blockcount!=a;blockcount++)//寻找被擦除的块
　　{
　　WriteCommand(0x60);//块擦除预命令
　　WriteAddresspag
　　
　　
　　
　　e(16*blockcount);
　　WriteCommand(0xD0);//块擦除确认命令
　　while(Flash_RB!=1)
　　{
　　}
　　WriteCommand(0x70);//读擦除状态命令
　　Delay10us();
　　Flash_RD=0;
　　#pragmaasm//嵌入汇编，插入3个机器周期
　　nop
　　nop
　　nop
　　#pragmaendasm//结束汇编
　　ACC=P0;
　　#pragmaasm//嵌入汇编，插入1个机器周期
　　nop
　　#pragmaendasm//结束汇编
　　Flash_RD=1;
　　ACC=ACC&0x01;
　　if(ACC!=0)//擦除失败
　　{
　　*InvalidBlockAddress=blockcount;//记录坏的块
　　InvalidBlockAddress++;
　　j++;
　　}
　　}
　　Flash_CE=1;//不再片选
　　}
　　5）flash管理：主要包括记录无效的块，flash空间检测以及空间的整理。（在此以flash整理流程图为例）
　　（1）开始flash整理程序；（2）扫描整个物理空间，取得已使用的扇区数N；（3）从第i个已使用的扇区读起，初始化i=1；（4）看扇区的地址是否连续；（5）如果连续就读下一个扇区，如果读到最后一个已使用的扇区就结束；（6）如果不是最后一个已使用的扇区，就跳到步骤（3）；（7）如果物理扇区不连续，则取得此扇区所在块k的地址指针；（8）扫描到空闲块j并取得其地址指针；（9）将k中所有的已写扇区移至j中，擦除块k；（10）擦除有效吗（11）若无效则将此块记为无效块，并进行（12）步；（12）若有效则判断读到最后一个扇区了吗？（13）若没有跳至步骤（3）；（14）若是最后一个已写扇区，则结束整理程序。
　　
　　
　　
　　

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